本发明提供一种光还原法制备石墨烯基平面化微型超级电容器的方法，属平面化微型超级电容器的制备技术领域。该方法为：(1)以氧化石墨烯和光催化剂为原料，利用多种薄膜电极加工方法将原料制备成薄膜电极；(2)在薄膜电极上覆盖上自制的掩模板，利用一定强度的光对氧化石墨烯进行还原和微电极图案化的加工；(3)通过蒸镀的方法在石墨烯电极表面镀上一层集流体；(4)取下掩模板，在电极表面涂上合适的电解质，从而得到高性能、平面化微型超级电容器。该技术具有工艺简单、便于控制、加工成本低、效率高、可大规模生产的优点，可广泛的应用于微机电系统、微型机器人、植入式医疗设备等微纳器件领域，为微纳电子设备的发展奠定了基础。